Arabic

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

طلب اقتباس |

منزل المنتجات

موسفيت الجهد العالي

أفضل المنتجات

نوع N MOSFET عالية الجهد TO-247 لمعدات الصوت

نوع N MOSFET عالية الجهد TO-247 لمعدات الصوت

طاقة الهطول المحددة عالية الجهد MOSFET TO-251 للمحولات

طاقة الهطول المحددة عالية الجهد MOSFET TO-251 للمحولات

الاستقرار الحراري MOSFET الجهد العالي لإدارة البطارية

الاستقرار الحراري MOSFET الجهد العالي لإدارة البطارية

الصين موسفيت الجهد العالي

CS8N65A2 8A650V MOSFET عالية الجهد N قناة تطبيقات التبديل السريع

النوع:ن

بطاقة تعريف:8 أ

الجهد من مصدر البوابة (Vgs):± 30 فولت
20A600V CS20N60A8 MOSFET عالية الجهد من النوع N لمصدر الطاقة للوحدة

بطاقة تعريف:20A

Vdss:600 فولت

الجهد من مصدر البوابة (Vgs):± 30 فولت
5A650V CS5N65A2 MOSFET عالية السرعة للتبديل

النوع:ن

بطاقة تعريف:5A

الجهد من مصدر البوابة (Vgs):± 30 فولت
8A900V CS8N90A6 TO-247 MOSFET عالية الجهد منخفض المقاومة

بطاقة تعريف:8 أ

رقم الموديل:CS8N90A6

Vdss:900 فولت
20A650V CS20N65A6 القناة الشمالية MOSFET الجهد العالي 100٪ اختبار الهطول

بطاقة تعريف:20A

Vdss:650 فولت

نوع RDSON (@VGS=10V):0.38 أوم
28A500V CS28N50A6 MOSFET الجهد العالي للانفصال لمصدر الطاقة في وضع التبديل

النوع:ن

الجهد من مصدر البوابة (Vgs):± 30 فولت

بطاقة تعريف:28 أ

Page 5 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

تصفح التصنيفات：

حول

كربيد السيليكون SBD: الديودات الحاجزية للكربيد السيليكوني للفرن الكهربائي; فولتاج الكربيد السيليكوني الكبير لمركز البيانات; الكربيد السيليكوني الصناعي SBD متعددة الأغراض لآلات اللحام

العاكس اي جي بي تي: 15A 1200V عاكس IGBT الدائرة القصيرة يتحمل الوقت 10μS للسائق; عاكس موثوقة وقوية IGBT تعزيز الوضع قناة N; كومة شحن ترانزستور IGBT متعدد الأغراض لتطبيق OBC

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة العاكس اي جي بي تي المزود. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr