منزل المنتجات أشباه الموصلات عالية الطاقة

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

Name: تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

جميع المنتجات

العاكس اي جي بي تي
(37)

IGBT عالية الطاقة
(38)

موسفيت عالي الطاقة
(38)

MOSFET التقاطع الفائق
(48)

موسفيت الجهد المنخفض
(81)

موسفيت الجهد العالي
(54)

الثنائيات شوتكي الحاجز
(80)

ثنائيات الاسترداد السريع
(49)

انخفاض VF Schottky
(65)

أشباه الموصلات عالية الطاقة
(28)

كربيد السيليكون موسفيت
(21)

كربيد السيليكون SBD
(21)

شهادة

الصين Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd الشهادات

زبون مراجعة

منتج رائع تماماً كما هو موضح، رسوم بريدية سريعة وخدمة رائعة

—— ميني فوكس1

تسليم سريع جدا، معبأة جيدا وهذه الكابلات هي بالتأكيد عالية الجودة! لم اشتري في أي مكان آخر وسوف تستمر في الحصول على كابلاتي من هذا البائع! AAA+++

—— مهدي

خدمة ممتازة كالمعتاد اشتريت من هذا البائع عدة مرات تسليم سريع

—— صوفيا

ابن دردش الآن

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

صورة كبيرة : تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	Lingxun
إصدار الشهادات:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
الوثيقة:	About Lingxun(1).pdf

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	وفقا لمتطلبات طلبك
الأسعار:	According to your order requirement
تفاصيل التغليف:	أنبوب + كرتون
وقت التسليم:	وفقا لمتطلبات طلبك
شروط الدفع:	T/T
القدرة على العرض:	600كيلو ك/سنة

اتصل

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

وصف

الجهد:	الجهد العالي	المزايا:	عملية مستقرة وجودة موثوقة
سعة التقاطع:	سعة التقاطع المنخفضة	الكفاءة:	كفاءة عالية
الخصائص:	مساحة RDS منخفضة (على) لكل شريحة (FOM منخفضة)	التطبيقات:	محولات الطاقة الشمسية، مصدر الطاقة AC-DC
إبراز:	قناة نصف الموصلات عالية الطاقة,قناة N ذات الطاقة العالية,قناة N أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية , High Power N Channel , N Channel High Power Semiconductor

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

الخصائص

• رسوم البوابة المنخفضة

• RDS منخفضة ((على) لكل منطقة رقاقة ((FOM منخفضة)

• انخفاض بسيط جداً في التبديل وفقدان التوصيل

• صلابة التحول عالية للغاية

التطبيقات

• محولات الطاقة الشمسية

• التلفزيون LCD/LED/PDP

• إمدادات الطاقة للاتصالات / الخوادم

• إمدادات الطاقة التيار المتردد

بطاقة:

أشباه الموصلات عالية الجهد,موسفيت عالي الطاقة,IGBT عالية الطاقة,

قناة نصف الموصلات عالية الطاقة,قناة N ذات الطاقة العالية,قناة N أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية,

High Power IGBT

تفاصيل الاتصال

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

اتصل شخص: Mrs. Qinqin

الهاتف :: +8618988720515

الفاكس: 86-189-8872-0515

منتجات أخرى

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET عالية الطاقة لتحويل الشاحن

بطاقة تعريف: 11 أ

Vdss: 650 فولت

RDSON-typ VGS=10V: 340mΩ

نطاق درجة حرارة التشغيل (Tj): -50°C إلى +150°C

أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية ذات الجهد العالي من النوع N مع تسرب منخفض

مقاومة الحرارة: مقاومة درجات الحرارة العالية

النوع: ن

ضوء عالي: تتميز أشباه موصلات الطاقة ذات الجهد العالي بقدرتها على التعامل مع الفولتية العالية والتيارات بكفاءة،

سعة التقاطع: سعة التقاطع المنخفضة

ترانزستورات تأثير المجال لـ TO-220F أكسيد المعدن أشباه الموصلات 15A 600V 274mΩ

بطاقة تعريف: 15A

Vdss: 600 فولت

RDSON-typ VGS=10V: 274 مΩ

التطبيقات: محولات الطاقة الشمسية، تلفزيون LCD/LED/PDP، إمدادات الطاقة للاتصالات/الخادم

نصف موصل ذو طاقة عالية منخفضة 15A 650V 238mΩ لمحولات DC-DC

بطاقة تعريف: 15A

جهد مصدر الصرف: 650 فولت

RDSON-typ VGS=10V: 238 ميجا أوم

التطبيقات: محولات الطاقة الشمسية، تلفزيون LCD/LED/PDP، إمدادات الطاقة للاتصالات/الخادم

20A 650V 150mΩ MOS بارد لمصادر الطاقة ذات الوضع المتحول

بطاقة تعريف: 20A

جهد مصدر الصرف: 650 فولت

RDSON-typ VGS=10V: 150mΩ

التطبيقات: طبولوجيا التبديل الناعمة، وإمدادات الطاقة والاتصالات

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

العاكس اي جي بي تي

IGBT عالية الطاقة

موسفيت عالي الطاقة

MOSFET التقاطع الفائق

موسفيت الجهد المنخفض

موسفيت الجهد العالي

الثنائيات شوتكي الحاجز

ثنائيات الاسترداد السريع

انخفاض VF Schottky

أشباه الموصلات عالية الطاقة

كربيد السيليكون موسفيت

كربيد السيليكون SBD

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

تطبيق متعدد المناسبات أشباه الموصلات عالية الطاقة قناة N

قناة نصف الموصلات عالية الطاقة,قناة N ذات الطاقة العالية,قناة N أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية

High Power N Channel

N Channel High Power Semiconductor

أشباه الموصلات عالية الجهد,موسفيت عالي الطاقة,IGBT عالية الطاقة,

قناة نصف الموصلات عالية الطاقة,قناة N ذات الطاقة العالية,قناة N أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية,

High Power IGBT

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET عالية الطاقة لتحويل الشاحن

أشباه الموصلات ذات الطاقة العالية ذات الجهد العالي من النوع N مع تسرب منخفض

ترانزستورات تأثير المجال لـ TO-220F أكسيد المعدن أشباه الموصلات 15A 600V 274mΩ

نصف موصل ذو طاقة عالية منخفضة 15A 650V 238mΩ لمحولات DC-DC

20A 650V 150mΩ MOS بارد لمصادر الطاقة ذات الوضع المتحول

كربيد السيليكون SBD

الديودات الحاجزية للكربيد السيليكوني للفرن الكهربائي

فولتاج الكربيد السيليكوني الكبير لمركز البيانات

الكربيد السيليكوني الصناعي SBD متعددة الأغراض لآلات اللحام

العاكس اي جي بي تي

15A 1200V عاكس IGBT الدائرة القصيرة يتحمل الوقت 10μS للسائق

عاكس موثوقة وقوية IGBT تعزيز الوضع قناة N

كومة شحن ترانزستور IGBT متعدد الأغراض لتطبيق OBC