|
TO-247 وضع تعزيز الطاقة IGBT 25A 1200V سعة التيار العالي2025-02-08 09:41:47 |
|
|
قدرة حجب الجهد العالي TO-247 IGBT 40A 1200V لتحويل الطاقة2025-02-10 09:39:52 |
|
|
المفتاح الخارجي للقناة N MOSFET 5A 650V 780mΩ للمحولات الشمسية2025-02-08 09:42:07 |
|
|
5A 650V 780mΩ N قناة التقاطع الخارق MOSFET TO-252 سطح مرتفع2025-02-08 09:42:12 |
|
|
قناة N MOSFET عالية الطاقة 7A 600V 530mΩ للمحولات الشمسية2025-02-08 09:42:00 |
|
|
جبل السطح 7A 600V MOS Super Junction لمصدر الطاقة AC-DC2025-02-08 09:42:25 |
|
|
سطح جبل شحن البوابة المنخفضة SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ لSMPS2025-02-08 09:42:24 |
|
|
7A 650V 525mΩ إلى 220F MOS بارد لموارد الطاقة غير المتقطعة2025-02-08 09:42:12 |
|
|
11A 600V 338mΩ TO-220F بارد MOS FOM منخفض لمصادر الطاقة قناة N2025-02-08 09:42:11 |
|
|
TO-252 MOSFET عالية الجهد 11A 600V 338mΩ لمكيف الإضاءة LED2025-02-08 09:43:13 |
