MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

Name: MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

جميع المنتجات

العاكس اي جي بي تي
(37)

IGBT عالية الطاقة
(38)

موسفيت عالي الطاقة
(48)

MOSFET التقاطع الفائق
(48)

موسفيت الجهد المنخفض
(81)

موسفيت الجهد العالي
(54)

الثنائيات شوتكي الحاجز
(80)

ثنائيات الاسترداد السريع
(49)

انخفاض VF Schottky
(65)

أشباه الموصلات عالية الطاقة
(28)

كربيد السيليكون موسفيت
(21)

كربيد السيليكون SBD
(21)

أفضل المنتجات

إمدادات الطاقة المتعددة الأغراض منخفضة الجهد MOSFET TO-220C لتوفير الطاقة دون انقطاع

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

50A 200V الجهد المنخفض للبوابة Mosfet الكفاءة العالية

شهادة

الصين Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd الشهادات

زبون مراجعة

منتج رائع تماماً كما هو موضح، رسوم بريدية سريعة وخدمة رائعة

—— ميني فوكس1

تسليم سريع جدا، معبأة جيدا وهذه الكابلات هي بالتأكيد عالية الجودة! لم اشتري في أي مكان آخر وسوف تستمر في الحصول على كابلاتي من هذا البائع! AAA+++

—— مهدي

خدمة ممتازة كالمعتاد اشتريت من هذا البائع عدة مرات تسليم سريع

—— صوفيا

ابن دردش الآن

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

صورة كبيرة : MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	Lingxun
إصدار الشهادات:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
الوثيقة:	About Lingxun(1).pdf

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	وفقا لمتطلبات طلبك
الأسعار:	According to your order requirement
تفاصيل التغليف:	شريط + كرتون
وقت التسليم:	وفقا لمتطلبات طلبك
شروط الدفع:	T/T
القدرة على العرض:	600كيلو ك/سنة

اتصل

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

وصف

استهلاك الطاقة:	فقدان منخفض للطاقة	عملية الهيكلة:	خندق / الرقيب
مزايا عملية الخندق:	يمكن دمج واستخدام RSP الأصغر حجمًا والتكوينات المتسلسلة والمتوازية بحرية.	تطبيق عملية SGT:	محرك المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن.
الحزمة:	PDFN5060	قدرة شرق آسيا:	قدرة EAS عالية
إبراز:	MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد,التصحيح المتزامن MOSFET منخفضة الجهد,موزفات التصحيح المتزامن منخفضة الطاقة , Synchronous Rectification Low Voltage MOSFET , Synchronous Rectification Low Power Mosfets

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد لإدارة الطاقة

الخصائص

• تكنولوجيا الخنادق المتقدمة

• RDS ((ON)) ممتازة و Low Gate Charge

التطبيقات

• مفتاح الحمل

• تطبيق PWM

• إدارة الطاقة

الحزمة:

PDFN5*6

حزمة الخطوط العريضة الأبعاد مليمترات

بطاقة:

اتصل شخص: Mrs. Qinqin

الهاتف :: +8618988720515

الفاكس: 86-189-8872-0515

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

العاكس اي جي بي تي

IGBT عالية الطاقة

موسفيت عالي الطاقة

MOSFET التقاطع الفائق

موسفيت الجهد المنخفض

موسفيت الجهد العالي

الثنائيات شوتكي الحاجز

ثنائيات الاسترداد السريع

انخفاض VF Schottky

أشباه الموصلات عالية الطاقة

كربيد السيليكون موسفيت

كربيد السيليكون SBD

إمدادات الطاقة المتعددة الأغراض منخفضة الجهد MOSFET TO-220C لتوفير الطاقة دون انقطاع

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

50A 200V الجهد المنخفض للبوابة Mosfet الكفاءة العالية

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد للتصحيح المتزامن

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد,التصحيح المتزامن MOSFET منخفضة الجهد,موزفات التصحيح المتزامن منخفضة الطاقة

Synchronous Rectification Low Voltage MOSFET

Synchronous Rectification Low Power Mosfets

ترانزستورات MOSFET ذات الطاقة المنخفضة,MOSFETs ذات الطاقة المنخفضة,موزفيت طاقة الجهد المنخفض,

MOSFET متعدد الوظائف منخفضة الجهد,التصحيح المتزامن MOSFET منخفضة الجهد,موزفات التصحيح المتزامن منخفضة الطاقة,

Low Voltage Power Mosfet

كربيد السيليكون SBD

الديودات الحاجزية للكربيد السيليكوني للفرن الكهربائي

فولتاج الكربيد السيليكوني الكبير لمركز البيانات

الكربيد السيليكوني الصناعي SBD متعددة الأغراض لآلات اللحام

العاكس اي جي بي تي

15A 1200V عاكس IGBT الدائرة القصيرة يتحمل الوقت 10μS للسائق

عاكس موثوقة وقوية IGBT تعزيز الوضع قناة N

كومة شحن ترانزستور IGBT متعدد الأغراض لتطبيق OBC